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金刚石MOSFET与结构示意图金刚石MOSFET是研究最广泛的金刚石晶体管,界推其采用MOS栅控制结构可抑制栅极的泄漏电流。但硼室温下激活效率小于0.1%,出手而且硼在金刚石中的掺杂浓度和迁移率是此消彼长的关系,出手过大的掺杂浓度往往导致迁移率的迅速下降,电导率达到1Ω/cm需要硼掺杂浓度达到1019 cm-3时,但此时迁移率将降低到100cm2/Vs以下[4]。与由HPHT金刚石制成的p-i-n二极管相比,游卫业由异质外延CVD金刚石制成的p-i-n二极管显示出更强的与缺陷相关的电致发光[14]。
硫原子的半径比碳原子大很多,卫龙网易掺入金刚石后会引起大量的晶格畸变,从而产生大量的晶格缺陷,使大部分的硫不具有电活性[6]。金刚石肖特基势垒二极管(SBD)与结构示意图金刚石功率器件可大大提高,辣条龙霸尤其是在高温下功率转换器的性能。
挑战腾讯日本的H.Yamada团队利用马赛克拼接法进行同质外延。
位错可以在器件制造过程中暴露出蚀刻坑[12],界推即使看不见它们仍会引起局部应变并影响金刚石的光学特性,例如双折射[13]。火法主要通过高温煅烧得到金属合金,出手而湿法回收主要包括酸浸、碱浸、还原浸出及强化浸出。
此外,游卫业考虑到金属开采过程中造成的环境损害,从废旧电池中收集金属成为了矿产资源开发的新选择。以N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)为例,卫龙网易常规工艺中该试剂的有效使用率不足10%,导致了巨大的污染排放及经济缺陷。
电化学沉积和电渗析是电池回收中常用的电化学方法,辣条龙霸前者曾被广泛应用于从废液中回收铜、锌、铅等金属。(d)葡萄糖与磷酸协同还原浸出LiCoO2近年来基于铵/氨化合物的碱浸出工艺也得到了发展,挑战腾讯其机理主要是铵离子与金属发生配位,挑战腾讯使得部分过渡金属在碱性条件下得到选择性浸出,同时实现了金属的浸出和选择性分离(图3b)。
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